N溝道增強型MOS管
1．構造
絕緣柵型場效應管的構造表示圖如圖2-34所示。
2．N溝道增強型MOSFET
1)N溝道增強型MOSFET的導電溝道的構成
N溝道加強型MOSFET的溝道構成及符號如圖2-35所示，其中圖2-35 (a)所示是在一塊雜質濃度較低的P型半導體襯底上制造兩個高濃度的N型區，并分別將它們作為源極s和漏極D，然后在襯底的外表制造一層Si02絕緣層，并在上面引出一個電極作為柵極G。圖2-35(b)所示是其在電路中的符號。
2)N溝道加強型MOSFET的特性曲線
轉移特性曲線
N溝道加強型MOSFET的轉移特性曲線如圖2-36所示。
式中，UT為開啟電壓（或閾值電壓）；μn為溝道電子運動的遷移率；Cox為巾位面積柵極電容；W為溝道寬度；疋為溝道長度；W/L為MOSFET的寬長比。在MOSFET集成電路設計中，寬長比是一個極為重要的參數。
輸出特性曲線
N溝道MOS管的輸出特性曲線如圖2-37所示。與結型場效應管的輸出特性相似，它也分為恒流區、叮變電阻區、截止區和擊穿區。其特性如下所示。
①截止區：UGS≤UT，導電溝道未構成，iD=0。
②恒流區：
·曲線距離平均，UGS對iP的控制才能強；
·UDS對iD的控制才能弱，曲線平整；
·進入恒流區的條件，即預災斷條件為UDS≥UCS-UT。
③可變電阻區：
可變電阻區的電流方程為
因而，可變電阻區的輸出電阻rDS為
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