在強反型狀態下飽和區中的工作
小信號參數的值因MOS晶體管的工作區域而變化。假定MOS晶體管處于VGS比閾值電壓VT高得多的強反型狀態，而且工作在飽和區，求這種狀況下的小信號參數。
應用第1章的式(1.18)，可將跨導gm表示如下：
在能夠疏忽溝道長度調制效應的狀況下，得到
這個跨導gm能夠用漏極電流ID表示為
也能夠用漏極電流ID和柵極-源極間電壓VGS表示為
體跨導gmb能夠由下式求得：
由式(1．18)和式(1.20)，能夠分別導出
所以得到
應用式(1.18)，能夠將漏極電導表示為
應用這些小信號參數，能夠將小信號漏極電流id表示為下式：
CMOS模仿電路中主要運用的下作區域是強反型的飽和區。表2.1列出這個工作區域中的小信號參數。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
