功率規格：PD、Ptot、IDR、IS
PD、Ptot的含義略有差別，有些制造商則會忽略了兩者的差別。通常所說的“多少瓦”的管子就是指的PD、Ptot額定值。
PD的含義是“Under Specified Heat Conditions，Maximum Allowable Val-ue of Constant Drain Power Dissipation”（給定散熱條件下，漏極允許的最大連續功耗），沒有明確說明的情況下，包括VMOS管芯本身與體二極管的功耗。給定散熱條件只是定義了測試條件，對測試結果并無影響。
Ptot的含義是“Total Dissipation”（總耗散功率），明確表示包括了體二極管的功耗。
耗散功率指的是晶體管自身能夠消耗的最大電功率，這些電功率都轉化成了熱能，因此也可以理解為晶體管自身發散熱最的能力。
如果一份技術文檔明確指出PD只是管芯的功率耗散能力，那么Ptot就約等于PDX2。這是因為VMOS管芯本身與體二極管的功率耗散能力幾乎是一樣的。
一般情況下，如果制造商分別給出了VMOS管芯與體二極管的耗散功率，這時候的VMOS多半是采用了與肖特基二極管相當的體二極管，如SiC體二極管，這樣的體二極管的自身功耗小，功率耗散能力也相對要小一些。如果是低速應用，就要適當地降低PD，因為低速情況下高速體二極管的優勢是難以體
現的。
PD是容易讓入門者誤解的數據，不少入門者會誤認為這是：VMOS的功率輸出能力。當然，VMOS要輸出功率，PD也是必需的，盡管如此，二者并沒有必然的聯系。
技術手冊中給出的是PD的最大值，如果把VMOS看作一個人，PD就可以視為一個人的飯量，這個人的力氣就好比是功率輸出能力。盡管人力上的飯量一般都很大，但是飯量大的人可不一定是人力土。
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
閱讀原文可一鍵關注+技術總匯
