場效應管：場效應管由多數載流子參與導電,稱為單極型晶體管.它也屬于電壓控制型半導體器件.具有輸入電阻高（108~109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.它有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。場效應管可應用于放大。由于放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器，很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換，可以常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換，允許方便地用作恒流源、允許用作可變電阻、允許用作電子開關。
結型場效應管的管腳識別：
場效應管的柵極相當于晶體管的基極，源極和漏極分別對應于晶體管的發射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數KΩ時，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個管腳即為柵極G。對于有4個管腳的結型，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。
場效應管任務原理用一句話說，就是"漏極-源極間走過溝道的ID,用以電極與溝道間的pn構造成的反偏偏的電極電壓掌握ID".更準確地說，ID走過電路的幅度，即溝道截面積，它是由pn結反偏偏的變遷，發生耗盡層擴大變遷掌握的來由。正在VGS=0的非飽滿海域，示意的過渡層的擴大由于沒有很大，依據漏極-源極間所加VDS的磁場，源極海域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有直流電ID活動。從門極向漏極擴大的適度層將溝道的一全體形成阻塞型，ID飽滿。將這種形態稱為夾斷。這象征著過渡層將溝道的一全體阻撓，并沒有是直流電被切斷。
正在過渡層因為沒有電子、空穴的自正在挪動，正在現實形態下簡直存正在絕緣特點，一般直流電也難活動。然而這時漏極-源極間的磁場，實踐上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部左近，因為漂移磁場拉去的高速電子經過過渡層。因漂移磁場的強度簡直沒有變發生ID的飽滿景象。其次，VGS向負的位置變遷，讓VGS=VGS（off），這時過渡層大體變化遮蓋全海域的形態。并且VDS的磁場大全體加到過渡層上，將電子拉向漂移位置的磁場，只要接近源極的很短全體，這更使直流電沒有能呆滯。
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