增強型是基本的MOS晶體管
在前面涉及的MOS晶體管的工作中，NMOS晶體管的閾值電壓VTN是正值，當VGS= OV時就沒有漏極電流流動，這樣的晶體管稱為增強型晶體管( enhancementtransistor)。圖2.10示出增強型NMOS晶體管的電流-電壓特性。
耗盡型—使VGS=OV也有漏極電流流動的器件
與此相對應，也能制造出具有負閾值電壓的NMOS晶體管。如圖2.11所示，柵氧化膜下方是高濃度的n型摻雜層，那么即使VGS=OV，也可以形成電子流的通路，使漏極電流流動，這樣的晶體管稱為耗盡型晶體管(depletion transistor)。增強型NMOS晶體管的閾值電壓VTN在ov以上，而耗盡型NMOS晶體管的閾值電壓VTN則在OV以下。
相反，PMOS晶體管中，增強型晶體管的閾值電壓是OV以下，而耗盡型PMOS晶體管的閾值電壓則在ov以上。
圖2. 12示出耗盡型NMOS晶體管的電流—電壓特性。表2.2列出了MOS晶體管的種類以及閾值電壓的極性。
耗盡型MOS晶體管的OFF狀態發生在柵極加負的電壓，使柵極—源極間電壓處于VGS
耗盡型晶體管對于模擬電路設計來說是一種很方便的器件。例如，使用耗盡型晶體管的1V以下的電源電壓下工作的rail to rail工作的OP放大器。另外，如圖2. 14所示，柵極和源極接地的耗盡型NMOS晶體管可以作為電流源使用。由于VGS=o，所以漏極電流可以表示為
式中，VTND是耗盡型NMOS晶體管的閾值電壓。
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