場效應管的主要參數
1．開啟電壓UT (MOSFET)
通常將剛剛形成導電溝道、出現漏極電流ID時對應的柵一源電壓稱為開啟電壓，用UGS(th)或UT表示。
開啟電壓UT是MOS增強型管的參數。當柵一源電壓UGS小于開啟電壓的絕對值時，場效應管不能導通。
2．夾斷電壓UP (JFET)
當UDS為某一固定值(如10V)，使ID等于某一微小電流(如50mA)時，柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當UGS＝UP時，漏極電流為零。
3．飽和漏極電流IDSS (JFET)
飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下，場效應管發生預夾斷時的漏極電流。IDSS型場效應管所能輸出的最大電流。
4．直流輸入電阻RGS
直流輸入電阻RGS是漏一源短路，柵一源加電壓時柵一源極 之間的直流電阻。
結型場效應管：RGS》107ΩMOS管：RGS>109～1015Ω。
5．跨導Gm
漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比，即gm＝△ID/△UGS。它是衡量場效應管柵一源電壓對漏極電流控制能力的一個參數。gm相當于三極管的hFE。
6．最大漏極功耗
最大漏極功耗PD＝UDSID，相當于三極管的PCM。
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