電壓規格：VDSS、VDS、BVDSS、V(BR)DSS
VDSS中的“V”表示電壓，前面的“D”、“S”表示“Drain”（漏極）與“Source”（源極），最后一個“s”表示“Short”（短路）。VDSS的具體含義是“Maximum Drain-SourceVoltage Rating with Gate-Source Shorted”，中文含義是“柵極與源極短接時，漏極與源極問能夠承受的最大電壓”。有時候也稱為“零柵壓最大漏源電壓”。
—-直稱之為“電壓規格”，之后我們還將這樣稱呼它，既簡單又明了，同時還給它另一個稱呼：耐壓，這符合行業習慣。因為超過電壓規格，VMOS就可能被擊穿損壞，因此電壓規格有時候也稱為“零柵壓擊穿電壓”。
BVDSS（漏源擊穿電壓）的含義雖然與VDSS略有差異，但是在數值上一般是相同的。一般技術手冊中給出的VDSS為額定值，BVDSS給出的是最小值，所謂數值相同，是VDSS的額定值與BVDSS的最小值相同。由此可以看出來，VDSSV是側重于測量的一個參數，BVDSS是側重于電路應用的參數。
VDSS、VDS的含義相同，BVDSS、V(BR)DSS的含義相同，只是不同制造商的應用習慣有所不同。但是VDS也常常用來表示源極與漏極之間的實際電壓而不是極限的擊穿電壓，因此為了避免歧義，采用的是VDSS。
很顯然，VDSS表示的是VMOS在關斷條件下承受正向電壓的能力。在關斷條件下，VMOS的柵極—源極間的偏置不外乎四種情況（圖3.1）。
反向偏置指的是讓VMOS關斷程度加深的偏置電壓，對于N溝道VMOS，顯然是柵極電壓低于源極電壓的情況；P溝道則相反。這種方式在高頻條件下比零柵壓更為可靠，在實際的高頻電路中，尤其是希望VMOS迅速關斷的電路中，這種負柵壓的偏置方法會經常出現。
旁路( Shunt)方法是希望VMOS的關斷不要像反向偏置那么快，在常態下，與零柵壓是相當的，未開封的新模塊上常常會配置旁路電阻，以保護模塊不會被靜電擊穿。在有些高速電路中，為了減小電路中的電流變化速度，也會采用旁路柵極的方法。旁路的另一個作用是，使VMOS的輸入電阻不至于過高，有了旁路電阻，VMOS的輸人電阻就大致等于旁路電阻的阻值。
對于VMOS而言，柵極懸空無論是何種條件下都是應該盡量避免的，稍有不慎，就會導致VMOS擊穿損壞。這時候的擊穿一般是柵極與源極擊穿，而不管源極、漏極間的電壓是高還是低。 除了槽柵結構的VMOS，零柵壓、反相偏置、旁路情況下測得的擊穿電壓是大致相等的；對于槽柵結構的VMOS，零柵壓情況下測得的擊穿電壓最高。因此，VDSS表示的是VMOS在關斷條件下承受正向電壓的最高能力。
圖3.1中的可調電流源”指的是限流電路，保證回路電流不超過某一設定值，“可調電壓源”就比較容易理解了。這兩種電源符號在測試晶體管的電路中會經常出現。
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