結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。目前在絕緣柵型場效應管中，應用最為廣泛的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。 場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。
場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和MOS管P溝道兩種。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子介入導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數載流子介入導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等長處，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強盛競爭者。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。若按導電方式來劃分，場效應管又可分成耗盡型與增強型。
MOS場效應晶體管因為輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應留意以下規則：
（1）. MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。
（2）.掏出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。
（3）.MOS器件出廠時通常裝在玄色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝MOS場效應晶體管在使用時應留意分類，不能隨意互換。
（4）. 焊接用的電烙鐵必需良好接地。在檢驗電路時應留意查證原有的保護二極管是否損壞。
（7）. MOS場效應晶體管的柵極在答應前提下，最好接入保護二極管。
（5）. 在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分開。拆機時順序相反。
（6）.電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。
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