高壓MOS管7N80H產品描述
此功率MOSFET是采用SL半高級平面條紋DMOS工藝生產的。這先進的技術已經專門針對最小化通態電阻，提供了優越的性能開關性能好，在雪崩和整流模式下能夠承受高能量的脈沖。這些是適用于高效率的開關電源，有功功率因數校正基于半橋拓撲。
高壓MOS管7N80H特征詳情
RDS(on)=1.4ωVGS=10V
低柵電荷（典型的27Nc）
高韌性
快速切換
100%雪崩試驗
改進的dv/dt性能
高壓MOS管7N80H封裝與引腳圖
高壓MOS管7N80H主要參數資料
型號：KIA7N80H
工作方式：7A/800V
漏源極電壓：800V
柵源電壓：±30V
二極管峰值恢復：4.5V/ns
運行和儲存溫度范圍：-55℃至+150℃
高壓MOS管7N80H測試電路和波形特征
高壓MOS管7N80H PDF詳情
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