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              KIA35P10A替代CMD5950規格書 廠家直銷-低內阻 雪崩沖擊小-KIA MOS管

              信息來源:本站 日期:2018-12-26 

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              KIA35P10A替代CMD5950

              KIA35P10A 產品描述

              KIA35P10A采用先進的溝槽MOSFET技術,提供優良的RDS(ON)和柵極。用于各種各樣的應用中的電荷。KIA35P10A滿足RoHS和綠色產品要求,100% EAS保證全功能可靠性批準。


              KIA35P10A 產品特征

              RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V

              100% EAS保證

              可用綠色設備

              超低柵電荷

              優良的CDV/DT效應下降

              先進的高密度溝槽技術


              KIA35P10A參數范圍

              產品型號:KIA35P10A

              工作方式:-35A /-100V

              漏源電壓:-100V

              柵源電壓:±20V

              漏電流連續:-35A

              脈沖漏極電流:-100A

              雪崩電流:28A

              雪崩能量:345mJ

              耗散功率:104W

              熱電阻:62℃/V

              漏源擊穿電壓:-100V

              柵極閾值電壓:-1.2V

              輸入電容:4920PF

              輸出電容:223PF

              上升時間:32.2ns


              KIA35P10A封裝

              KIA35P10A,CMD5950


              KIA35P10A規格書

              查看詳情,請點擊下圖。

              KIA35P10A,CMD5950


              CMD5950參數概述

              CMD5950采用先進的溝槽技術和設計,提供優良的低門電荷RDS(on),它可用于多種用途。


              CMD5950特征

              P溝道

              低電阻

              快速切換100%

              雪崩測試


              CMD5950參數

              漏源電壓:-100 V

              柵源電壓:20V

              連續漏電流:-35a

              脈沖漏極電流:-105a

              雪崩電流:- 35 A

              總功耗:50w

              儲存溫度范圍:- 55至150

              工作結溫度范圍:150℃


              聯系方式:鄒先生

              聯系電話:0755-83888366-8022

              手機:18123972950

              QQ:2880195519

              聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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