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              場效應管irf3205供應商 技術參數信息-場效應管irf3205中文資料-KIA MOS管

              信息來源:本站 日期:2018-12-18 

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              場效應管irf3205

              IR的HEXFET功率場效應管irf3205采用先進的工藝技術制造,具有極低的導通阻抗。


              場效應管irf3205這種特性,加上快速的轉換速率,和以堅固耐用著稱的HEXFET設計,使得場效應管irf3205成為極其高效可靠、應用范圍超廣的器件。


              TO-220封裝的IRF3205普遍適用于功耗在50W左右的工商業應用,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF3205得到業內的普遍認可。D2Pak封裝的IRF3205適用于貼片安裝,比起現有的任何其他貼片封裝,可說是功率最高,導通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安裝版,適合較低端的應用。


              特性

              先進的工藝技術

              貼片安裝

              低端通孔安裝

              超低導通阻抗

              動態dv/dt率

              175℃工作溫度

              快速轉換速率

              無鉛環保


              場效應管irf3205參數表

              場效應管irf3205


              場效應管irf3205中文資料

              請點擊下圖可查看詳情。

              場效應管irf3205



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