MOS管 2N65H產品描述
此功率MOSFET是采用KIA先進的平面條紋DMOS工藝生產的。這先進的技術已經專門針對最小化通態電阻，提供了優越的開關性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖。這些適用于高效率開關電源，有功功率因數校正基于半橋拓撲。
MOS管2N65H特征
RDS (on) =4.3Ω@VGS=10V
低門電荷(典型的6.5nC)
高韌性
快速切換
100%雪崩試驗
改進的dv/dt能力
MOS管2N65H產品封裝引腳圖
MOS管2N65H產品主要參數
型號：KIA2N65H
電流：2.0A
電壓:650V
漏源極電壓:650V
漏電流脈沖:7.5A
柵源電壓:±30V
單脈沖雪崩能：100MJ
重復雪崩能：4.2MJ
峰值二極管恢復：4.5V/ns
MOS管2N65H電路特征
MOS管2N65H規格書
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