MOS管100N03產品特征-KIA100N03A
1、此功率MOSFET是使用KIA的先進平面條紋DMOS技術生產的。這先進的技術已經專門針對最小化通態電阻，提供了優越的開關性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖。這些適用于高效率開關電源，有功功率因數校正基于半橋拓撲。
2、RDS(on)=3.1m?@VGS=10V
3、增強的dv/dt能力
4、快速切換
5、綠色設備可用
MOS管100N03產品主要參數-KIA100N03A
產品型號：KIA100N03A
工作方式：90A/30V
漏源極電壓:30V
柵源電壓:±20V
連續漏電流:90A/57A
脈沖漏電流:360A
雪崩電流:50A
雪崩能量:125MJ
操作和儲存溫度范圍：-55℃至+175℃
KIA100N03A標準封裝
KIA100N03A電路圖
KIA100N03A產品附件
以下為KIA100N03A產品PDF格式的產品詳細資料，查看詳情請點擊下圖。
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