逆變器13N50產品描述
KIA13N50 N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。
KIA13N50參數
產品編號：KIA13N50
漏極至源極電壓（VDSS）：500V
柵源電壓（VGSS）：±30V
漏極電流 （連續）（lD）：13A
耗散功率（PD）：195W
工作溫度：±150℃
擊穿電壓溫度：0.5/℃
輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升時間：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω
KIA13N50特征
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的45nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
KIA13N50產品適用范圍
主要適用于高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。
KIA13N50封裝圖
KIA13N50規格書
以下為KIA13N50產品PDF格式的產品詳細資料，查看詳情請點擊下圖。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
