高壓大功率MOS管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
高壓大功率MOS管原廠概述
高壓大功率MOS管原廠介紹，深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計，集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。
強大的研發平臺，使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項，并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。
KIA半導體的產品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。
從設計研發到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈，真正做到了服務細節全到位的品牌內涵，我們致力于成為場效應管（MOSFET）功率器件領域的領跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續創新，永不止步！
KIA半導體高壓大功率MOS管產品特點
（1）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好
（2）場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大
（3）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數
（5）場效應管的抗輻射能力強
（6）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低
高壓大功率MOS管選型表
以下是KIA推薦的高壓大功率MOS管型號，如有需要請聯系我們，我們將竭誠為您服務。
|
Part Numbe
|
ID（A）
|
BVDSS（v）
|
Typical
RDS(ON)@60%
ID（Ω）
|
MAX
RDS(ON)@60%
ID（Ω）
|
ciss
|
|
pF
|
|
KNX9120A
|
40
|
200
|
0.05
|
0.065
|
2800
|
|
KNX9130A
|
40
|
300
|
0.11
|
0.13
|
3100
|
|
KNX3730A
|
50
|
300
|
0.05
|
0.065
|
3400
|
|
KIA5N50H
|
5
|
500
|
1.25
|
1.5
|
525
|
|
KIA840S
|
8
|
500
|
0.7
|
0.9
|
960
|
|
KIA4750S
|
9
|
500
|
0.7
|
0.9
|
960
|
|
KNX4850A
|
9
|
500
|
0.7
|
0.9
|
960
|
|
KNX6450A
|
13
|
500
|
0.4
|
0.48
|
2149
|
|
KNX6650A
|
15
|
500
|
0.33
|
0.45
|
2148
|
|
KIA18N50H
|
18
|
500
|
0.25
|
0.32
|
2500
|
|
KIA20N50H
|
20
|
500
|
0.21
|
0.26
|
2700
|
|
KIA24N50H
|
24
|
500
|
0.16
|
0.2
|
3500
|
|
KNX7650A
|
25
|
500
|
0.17
|
0.21
|
4280
|
|
KNH8150A
|
30
|
500
|
0.15
|
0.2
|
4150
|
|
KIA10N80H
|
10
|
800
|
0.85
|
1.1
|
2230
|
高壓大功率MOS管封裝圖
我司KIA率先成功研最新型MOSFET系列產品，可以提供樣品，以及有多種封裝SOT-89、TO-92、262、263、251、220F、TO-3P、TO-3PF等，下面就列出了幾個常用的封裝外觀圖。
（一）TO-220
（二）TO-3P
（三）TO-220F
（四）TO-252
（五）TO-263
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
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