① 開啟電壓VGS(th) (或VT)
開啟電壓是MOS增強型管的參數，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值，場效應管不能導通
② 夾斷電壓VGS(off) (或VP)
夾斷電壓是耗盡型FET的參數，當VGS=VGS(off) 時，漏極電流為零
③ 飽和漏極電流IDSS
耗盡型場效應三極管，當VGS=0時所對應的漏極電流
④ 輸入電阻RGS
場效應三極管的柵源輸入電阻的典型值，對于結型場效應三極管，反偏時RGS約大于107Ω，對于絕緣柵場型效應三極管，RGS約是109～1015Ω
⑤ 低頻跨導gm
低頻跨導反映了柵壓對漏極電流的控制作用，這一點與電子管的控制作用十分相像。gm可以在轉移特性曲線上求取，單位是mS(毫西門子)
⑥ 最大漏極功耗PDM
最大漏極功耗可由PDM= VDS ID決定，與雙極型三極管的PCM相當
|
Part Numbe |
ID（A） |
BVDSS（V） |
RDS（ON）（Ω） |
Package |
|
KIA2301 |
-2.8 |
-20 |
0.12 |
SOT-23 |
|
KIA2305 |
-3.5 |
-20 |
0.055 |
SOT-23 |
|
KIA3401 |
-4 |
-30 |
0.06 |
SOT-23 |
|
KIA3407 |
-4.1 |
-30 |
0.06 |
SOT-23 |
|
KIA3409 |
-2.6 |
-30 |
0.13 |
SOT-23 |
|
KIA3415 |
-4 |
-16 |
0.045 |
SOT-23 |
|
KIA3423 |
-2 |
-20 |
0.092 |
SOT-23 |
|
KIA4953 |
-5.3 |
-30 |
0.063 |
SOP-8 |
|
KIA9435 |
-5.3 |
-30 |
0.06 |
SOP-8 |
|
KIA7P03A |
-7.5 |
-30 |
0.018 |
SOP-8 |
|
KIA4435 |
-10.5 |
-30 |
0.018 |
SOP-8 |
|
Part Numbe |
ID（A） |
VDSS（v） |
內阻（小） |
內阻（大） |
ciss |
Package |
|
|
pF |
|||||||
|
KIA23P10A |
-23 |
-100 |
0.95 |
0.078 |
3029 |
TO-252 |
|
|
KIA35P10A |
-35 |
-100 |
0.055 |
0.042 |
4920 |
TO-252 |
|
|
KPD8610A |
-35 |
-100 |
0.055 |
0.042 |
6516 |
TO-252 |
|
|
Part Numbe |
ID（A） |
VDSS（v） |
內阻（小） |
內阻（大） |
ciss |
Package |
|
pF |
||||||
|
KIA9N90H |
9 |
900 |
1.4 |
1.12 |
2780 |
TO-247 |
|
KAI18N50H |
18 |
500 |
0.32 |
0.25 |
2500 |
TO-247 |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
0.26 |
0.21 |
2700 |
TO-247 |
|
KIA24N50H |
24 |
500 |
0.2 |
0.16 |
3500 |
TO-247 |
|
KIA3306A |
80 |
60 |
0.008 |
0.007 |
3390 |
TO-247 |
|
KNM3308A |
80 |
80 |
0.09 |
0.0062 |
3110 |
TO-247 |
|
KIA2906A |
130 |
60 |
0.007 |
0.0055 |
3100 |
TO-247 |
|
KIA2807N |
150 |
75 |
0.006 |
0.005 |
7200 |
TO-247 |
|
KIA2808A |
150 |
80 |
0.0045 |
0.004 |
6109 |
TO-247 |
|
KIA2806A |
160 |
40 |
0.0045 |
0.0035 |
4376 |
TO-247 |
|
KIA2804A |
190 |
60 |
0.0035 |
0.0022 |
4800 |
TO-247 |
|
KIA2N60H |
2 |
600 |
5 |
4.1 |
200 |
TO-220F |
|
KIA3N80H |
3 |
800 |
4.8 |
4 |
543 |
TO-220F |
|
KNF4360A |
4 |
600 |
2.3 |
1.9 |
511 |
TO-220F |
|
KIA4N60H |
4 |
600 |
2.7 |
2.3 |
500 |
TO-220F |
|
KIA730H |
6 |
400 |
1 |
0.83 |
520 |
TO-220F |
|
KIA9N90H |
9 |
900 |
1.4 |
1.12 |
2780 |
TO-3P |
|
KIA10N80H |
10 |
800 |
1.1 |
0.85 |
2230 |
TO-3P |
|
KIA16N50H |
16 |
500 |
0.38 |
0.32 |
2200 |
TO-3P |
|
KIA18N50H |
18 |
500 |
0.32 |
0.25 |
2500 |
TO-3P |
|
KIA20N40H |
20 |
400 |
0.25 |
0.2 |
2135 |
TO-3P |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
0.26 |
0.21 |
2700 |
TO-3P |
|
KIA24N50H |
24 |
500 |
0.2 |
0.16 |
3500 |
TO-3P |
|
KNH8150A |
30 |
500 |
0.065 |
0.15 |
4150 |
TO-3P |
|
KNH9120A |
40 |
200 |
0.1 |
0.05 |
2800 |
TO-3P |
金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為銜接源極和漏極的溝道。改動柵壓可以改動溝道中的電子密度，從而改動溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。假設N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上恰當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為PMOS晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值普通偏高，懇求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)呈現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡單，價錢低價，有些中范圍和小范圍數字控制電路仍采用PMOS電路技術。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適宜用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是，固然PMOS可以很便當地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價錢貴，交流種類少等緣由，在高端驅動中，通常還是運用NMOS。
正常工作時，P溝道增強型MOS管的襯底必需與源極相連，而漏心極的電壓Vds應為負值，以保證兩個P區與襯底之間的PN結均為反偏，同時為了在襯底頂表面左近構成導電溝道，柵極對源極的電壓Vgs也應為負。
1．Ｖds≠Ｏ的情況導電溝道構成以后，ＤＳ間加負向電壓時，那么在源極與漏極之間將有漏極電流Ｉd流通，而且Ｉd隨Vds而增加．Ｉd沿溝道產生的壓降使溝道上各點與柵極間的電壓不再相等，該電壓削弱了柵極中負電荷電場的作用，使溝道從漏極到源極逐漸變窄．當Ｖds增大到使Ｖgd＝Ｖgs（TH），溝道在漏極左近呈現預夾斷．
2．導電溝道的構成（Ｖds＝0）當Vds=0時，在柵源之間加負電壓Vgs，由于絕緣層的存在，故沒有電流，但是金屬柵極被補充電而聚集負電荷，Ｎ型半導體中的多子電子被負電荷排斥向體內運動，表面留下帶正電的離子，構成耗盡層，隨著Ｇ、Ｓ間負電壓的增加，耗盡層加寬，當Vgs增大到一定值時，襯底中的空穴（少子）被柵極中的負電荷吸收到表面，在耗盡層和絕緣層之間構成一個Ｐ型薄層，稱反型層，這個反型層就構成漏源之間的導電溝道，這時的Ｖgs稱為開啟電壓Vgs（th），Vgs到Vgs（th）后再增加，襯底表面感應的空穴越多，反型層加寬，而耗盡層的寬度卻不再變化，這樣我們可以用Vgs的大小控制導電溝道的寬度。
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