800V高壓MOS管
KIA半導體將推薦一款800V的高壓MOS管給大家，下文將會有它的具體參數、封裝等詳細資料。
KIA半導體也一直執行全面質量管理體系，是將所有產品質量從芯片設計開始，一直貫徹到客戶使用的全過程質量跟蹤和監控。我們確定在這一質量控制體系下生產的產品，在相關環節的質量狀態和信息都是有效控制，確保提供給客戶的產品是安全可靠的。
800V高壓MOS管KIA10N80H
1.800V高壓MOS管10N80產品描述
這個功率MOSFET是用起亞公司先進的平面條紋數字多用表（DMOS）技術生產的先進的特別為最小化通態電阻，提供優良的切換性能，并能承受雪崩和整流模式下的高能脈沖。這些器件適用于高效率開關電源，有源功率因數校正，基于半橋拓撲。
2.800V高壓MOS管10N80產品特征
RDS（on）=0.85ω@VGS=10V
低柵電荷（典型的63nC）
高韌性
快速交換能力
指定的雪崩能量
改進的dv/dt能力
ESD改善能力
3.800V高壓MOS管10N80封裝
4.高壓MOS管的主要參數
型號：KIA10N80H
工作方式：10A/800V
漏源極電壓：800V
柵源電壓：±25V
漏電流脈沖:40A
二極管峰值恢復:4.5v/ns
5.800V高壓MOS管10N80產品 PDF附件
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6.封裝工藝流程圖
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