高壓MOS管9N90產品介紹
此功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS工藝生產。這先進的技術已特別定制，以盡量減少通態電阻，提供卓越的開關性能好，可承受雪崩和換相模式下的高能脈沖適用于高效率開關電源，有功功率因數校正基于半橋拓撲。
高壓MOS管9N90參數詳情
型號：KIA9N90S/KIA9N90H
工作方式：9A/900V
漏源極電壓：900V
排水電流:36A
柵源電壓：±30V
單脈沖雪崩能：900MJ
雪崩電流：9.0A
重復雪崩能：28MJ
峰值二極管恢復：4.0V/ns
運行和儲存溫度范圍：-55℃至+150℃
高壓MOS管9N90產品特征
9A，900V
RDS(on)=1.12ωVGS=10V
低門電荷（典型的70納米）
低Crss（典型的14Pf）
快速切換
100%雪崩試驗
改進的數字視頻傳輸能力
高壓MOS管9N90封裝及引腳圖
1、KIA9N90S
2、KIA9N90H
高壓MOS管9N90附件
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1、KIA9N90S
2、KIA9N90H
KIA封裝工藝
聯系方式：鄒先生
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手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
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