低壓MOS管 40N06B 38A/60V
低壓MOS管 40N06B的產品概述
RDS(on) = 14mωVDS = 60V
高單元密度溝槽技術
超低柵電荷
優異的Cdv/dt效應下降
100%EAS保證
可用的綠色設備
低壓MOS管 40N06B 38A/60V應用領域
用于MB/NB/UMPC/VGA的高頻負載
點負載同步降壓轉換器
網絡直流供電系統
LCD/LED
低壓MOS管 40N06B 38A/60V封裝
低壓MOS管 40N06B 38A/60V參數詳情
型號：KIA40N06B
工作方式：38A/60V
漏源極電壓：60V
柵源電壓：±20
脈沖漏電流：80A
單脈沖雪崩能量：67MJ
雪崩電流：28A
總功耗：45W
低壓MOS管 40N06B電路特征
低壓MOS管 40N06B附件
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
