容易集成化
TTL等雙極器件中，如圖10. 15所示，相鄰的晶體管之間需求隔離，而且要提高電流驅動型器件的集成度，就很難抑止功率耗費和發熱現象。
CMOS中，由于閂鎖現象／可控硅現象的緣由，需求思索設置恰當的別離寄生雙極晶體管的稱為防護帶（圖10. 16）的別離墻／過渡電流吸收帶。不過對集成度的影響不大。最近，還開發出不需求防護帶的制造技術。而且，由于CMOS的低功耗特性，在發熱問題上比雙極器件優越，也有利于集成化。
把單位面積(mm2)上集成的晶體管數目叫做集成度。目前集成度超越了1000萬個MOS晶體管的系統LSI曾經在數字設備中采用。
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