深圳市可易亞半導體科技有限公司（簡稱KIA半導體）.是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計，集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。
KIA半導體，已經擁有了獨立的研發中心，研發人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據客戶應用領域的個性來設計方案，同時引進多臺國外先進設備，業務含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統分析、失效分析等領域。
強大的研發平臺，使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項，并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。
KIA半導體的產品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。
專注于功率半導體開發得基礎，在2007年KIA在韓國浦項工科大學內擁有了專業合作設計研發團隊得8英寸VD-MOS晶圓廠。我司KIA率先成功研最新型MOSFET系列產品，可以提供樣品，以及有多種封裝SOT-89 TO-92、262、263、251、220F、3P等,封裝是與國內一流封裝廠家合作。
KIA半導體包裝展示圖：
（1）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好
（2）場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大
（3）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數
（5）場效應管的抗輻射能力強
（6）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低
國產高壓MOS管型號表如下：
|
Part Numbe |
ID（A） |
BVDSS（v） |
Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） |
MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
KNX4820A |
9 |
200 |
0.26 |
0.4 |
670 |
|
KNX4820B |
9 |
200 |
0.25 |
0.3 |
418 |
|
KIA18N20A |
18 |
200 |
0.12 |
0.18 |
1140 |
|
KNX9120A |
40 |
200 |
0.05 |
0.065 |
2800 |
|
KNX9130A |
40 |
300 |
0.11 |
0.13 |
3100 |
|
KNX3730A |
50 |
300 |
0.05 |
0.065 |
3400 |
|
KNX4820A |
9 |
200 |
0.26 |
0.4 |
670 |
|
KNX4820B |
9 |
200 |
0.25 |
0.3 |
418 |
|
KIA18N20A |
18 |
200 |
0.12 |
0.18 |
1140 |
|
KNX9120A |
40 |
200 |
0.05 |
0.065 |
2800 |
|
KNX9130A |
40 |
300 |
0.11 |
0.13 |
3100 |
|
KNX3730A |
50 |
300 |
0.05 |
0.065 |
3400 |
|
KIA6035A |
11 |
350 |
0.38 |
0.48 |
844 |
|
KNX4540A |
6 |
400 |
0.8 |
1 |
490 |
|
KNX6140A |
10 |
400 |
0.35 |
0.5 |
1254 |
|
KIA5N50H |
5 |
500 |
1.25 |
1.5 |
525 |
|
KIA840S |
8 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KIA4750S |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX4850A |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX6450A |
13 |
500 |
0.4 |
0.48 |
2149 |
|
KNX6650A |
15 |
500 |
0.33 |
0.45 |
2148 |
|
KIA18N50H |
18 |
500 |
0.25 |
0.32 |
2500 |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
0.21 |
0.26 |
2700 |
|
KIA24N50H |
24 |
500 |
0.16 |
0.2 |
3500 |
|
KNX7650A |
25 |
500 |
0.17 |
0.21 |
4280 |
|
KNH8150A |
30 |
500 |
0.15 |
0.2 |
4150 |
|
KNX4360A |
4 |
600 |
1.9 |
2.3 |
511 |
|
KIA5N60E |
4.5 |
600 |
2 |
2.5 |
780 |
|
KNX4660A |
7 |
600 |
1 |
1.25 |
1120 |
|
KNX4760A |
8 |
600 |
0.85 |
1.1 |
1250 |
|
KIA10N60H |
9.5 |
600 |
0.6 |
0.73 |
1570 |
|
KIA12N60H |
12 |
600 |
0.53 |
0.65 |
1850 |
|
KNX7160A |
20 |
600 |
0.35 |
0.45 |
2800 |
|
KNX4365A |
4 |
650 |
2 |
2.5 |
523 |
|
KIA7N65H |
7 |
650 |
1.2 |
1.4 |
1000 |
|
KNX4665B |
7 |
650 |
1.1 |
1.4 |
1048 |
|
KNX4665A |
7.5 |
650 |
1.1 |
1.4 |
970 |
|
KIA10N65H |
10 |
650 |
0.65 |
0.75 |
1650 |
|
KNX6165A |
10 |
650 |
0.6 |
0.9 |
1554 |
|
KIA12N65H |
12 |
650 |
0.63 |
0.75 |
1850 |
|
KIA6N70H |
5.8 |
700 |
1.8 |
2.3 |
650 |
|
KIA7N80H |
7 |
800 |
1.4 |
1.9 |
1300 |
|
KIA10N80H |
10 |
800 |
0.85 |
1.1 |
2230 |
|
KIA9N90S |
9 |
900 |
1.05 |
1.4 |
2780 |
|
KNL42150A |
2.8 |
1500 |
6.5 |
9 |
1500 |
1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。
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