MOS管3706產品特征
RDS(ON)，typ.=9mΩ@VGS=10V
氮氣保護
超低柵極電荷
最佳Cdv/dt效應衰減
高級高密度槽技術
MOS管3706產品概述
KIA半導體的KNX3706A產品是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，它提供了優良的RDS(ON)和大多數同步降壓變換器應用的柵極電荷。KNX3706A滿足RoHS和綠色產品的要求，100%EAS保證功能的可靠性得到認可。而且KIA半導體10幾年一直追求品質第一的生產理念。
MOS管3706封裝引腳圖
MOS管3706產品參數
型號：KNX3706A
電流：50A
電壓：60V
漏源極電壓：60V
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：100A
單脈沖雪崩能：72.2MJ
雪崩電流：38A
接頭和儲存溫度范圍：-55℃至150℃
KNX3706A MOS管產品附件詳情
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