9926mos管,9926場效應管參數 漏源電壓:30V 漏極電流:6A 漏源通態電阻(RDS...9926mos管,9926場效應管參數 漏源電壓:30V 漏極電流:6A 漏源通態電阻(RDS(on)):0.030Ω 總功耗:2.0W
KIA3423采用先進的溝槽技術,漏源擊穿電壓-20V,漏極電流-2.0A,提供出色的RDS...KIA3423采用先進的溝槽技術,漏源擊穿電壓-20V,漏極電流-2.0A,提供出色的RDS(導通)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作,能夠減少功耗,提高效率。3423場效...
KIA3409采用先進的溝槽技術,提供出色的RDS(導通)和低柵極電荷。3409場效應管...KIA3409采用先進的溝槽技術,提供出色的RDS(導通)和低柵極電荷。3409場效應管適用于負載開關或PWM應用。標準產品KIA3409不含鉛(符合ROHS和Sony 259規范)。 V...
8205MOS管,8205場效應管參數 漏源電壓:20V 漏極電流:5.0A 柵源電壓:±12...8205MOS管,8205場效應管參數 漏源電壓:20V 漏極電流:5.0A 柵源電壓:±12V 脈沖漏電流:20A 總功耗:2W
KIA3414采用先進的溝槽技術,漏源擊穿電壓20V,漏極電流4.2A,提供出色的RDS(...KIA3414采用先進的溝槽技術,漏源擊穿電壓20V,漏極電流4.2A,提供出色的RDS(on),低柵極電荷門極電壓低至1.8V。該裝置適用于負載開關或PWM應用。標準產品KIA34...
KNX3402A是一款漏源擊穿電壓20V,漏極電流80A的高性能場效應管,RDS(開啟)(...KNX3402A是一款漏源擊穿電壓20V,漏極電流80A的高性能場效應管,RDS(開啟)(典型值)=3.0m? @ VGS=4.5伏,超低Rdson的高密度電池設計,保證了電路的高效能運行...