場效應管引見篇 場效應結晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))職稱...場效應管引見篇 場效應結晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))職稱場效應管。由少數載流子參加導熱,也稱為多極型結晶體管。它歸于電壓掌握型半超導體...
來自韓國科學技術學院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,...來自韓國科學技術學院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,KAIST)的團隊研發了一種用于場效應晶體管的高性能超薄聚合絕緣體。
KIA4953場效應管具有出色性能,漏源擊穿電壓-30V,漏極電流-5.3A,表現出優異的...KIA4953場效應管具有出色性能,漏源擊穿電壓-30V,漏極電流-5.3A,表現出優異的電氣特性;當Vgs為-10V時,其RDS(on)為54mΩ,而當Vgs為-4.5V時,其RDS(on)為84mΩ...
7306場效應管采用先進的高電池密度溝槽技術,漏源擊穿電壓60V,漏極電流22A,R...7306場效應管采用先進的高電池密度溝槽技術,漏源擊穿電壓60V,漏極電流22A,RDS(ON)= 5.5mΩ(典型值)@VGS =10V,表現出卓越的導通能力,超低柵極電荷,在工作...
KIA6706A場效應管漏源擊穿電壓60V,漏極電流18A,額定RDSON為7.5mΩ(在VGS=10...KIA6706A場效應管漏源擊穿電壓60V,漏極電流18A,額定RDSON為7.5mΩ(在VGS=10V時),表現穩定可靠,具有超低的門電荷,在工作時能夠更加高效,還具有Cdv/dt效應下...
KIA4706A場效應管采用先進的高單元密度溝槽技術,性能出色,漏源擊穿電壓60V,...KIA4706A場效應管采用先進的高單元密度溝槽技術,性能出色,漏源擊穿電壓60V,漏極電流8A,具有RDS(開)僅為10mΩ(在VGS=10V時的典型值),在應用中表現出超低的...