跟雙極性晶體管相比,普通以為使MOS管導通不需求電流,只需GS電壓高于一定的值,就能夠了。這個很容易做到,但是,我們還需求速度。
在MOS管的構造中能夠看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅動,實踐上就是對電容的充放電。對電容的充電需求一個電流,由于對電容充電霎時能夠把電容看成短路,所以霎時電流會比擬大。選擇/設計MOS管驅動時第一要留意的是可提供霎時短路電流的大小。
第二留意的是,普遍用于高端驅動的NMOS,導通時需求是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。假如在同一個系統里,要得到比VCC大的電壓,就要特地的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵,要留意的是應該選擇適宜的外接電容,以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。
上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓,設計時當然需求有一定的余量。而且電壓越高,導通速度越快,導通電阻也越小。如今也有導通電壓更小的MOS管用在不同的范疇里,但在12V汽車電子系統里,普通4V導通就夠用了。
MOS管的驅動電路及其損失,能夠參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFET。講述得很細致,所以不打算多寫了。
|