KIA12N65H場效應管漏極電流12A,漏源擊穿電壓650V,RDS(on)為0.63?,在VGS為...KIA12N65H場效應管漏極電流12A,漏源擊穿電壓650V,RDS(on)為0.63?,在VGS為10V時表現出色、低柵極電荷,典型值為52nC,使得它在高頻率下仍能表現穩定、快速切...
KND3504A場效應管,采用了溝槽功率低壓MOSFET技術,漏極電流70A,漏源擊穿電壓...KND3504A場效應管,采用了溝槽功率低壓MOSFET技術,漏極電流70A,漏源擊穿電壓40V,具有低導通電阻,典型值為7.0mΩ;出色的散熱封裝和低RDS(ON)的高密度電池設...
KNH3730A場效應管是一款性能優越的器件,采用專有新型平面技術,具有50A的漏極...KNH3730A場效應管是一款性能優越的器件,采用專有新型平面技術,具有50A的漏極電流和300V的漏源擊穿電壓,RDS(ON)在VGS=10V時僅為70mΩ(典型值),能夠實現低柵...
KIA7N65H是一款高性能場效應管,具有出色的性能和可靠性,漏極電流7A,漏源擊穿...KIA7N65H是一款高性能場效應管,具有出色的性能和可靠性,漏極電流7A,漏源擊穿電壓高達650V,導通電阻僅為1.2Ω,在10V的柵極電壓下能夠提供穩定的性能;能夠替代...
KCX3008A場效應管場效應管漏極電流120A,漏源擊穿電壓為85V,采用先進的SGT技術...KCX3008A場效應管場效應管漏極電流120A,漏源擊穿電壓為85V,采用先進的SGT技術,具有極低的RDS(開啟)值,典型值為4.5 mΩ@Vgs=10V,表現出優秀的柵極電荷與RDS...
6n65場效應管漏極電流5.5A,漏源擊穿電壓為650V,RDS(ON)=1.9? @ VGS=10V;...6n65場效應管漏極電流5.5A,漏源擊穿電壓為650V,RDS(ON)=1.9? @ VGS=10V;具有低柵極電荷,典型值為16nC,KIA6N65H N溝道增強型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高...