MOSFET：全稱是“金屬氧氣化物半導體場效應管”（Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor）
為減損續流電流在寄生二極管上萌生的傷耗，在一點應用中運用 MOSFET 作為逆變元件。因為 MOFSET 具備導通阻抗低、電流可以雙向流動的獨特的地方，在 M1 關斷，進入了續流階段時，疏導 M 2，使續流電流流經 M2，因為 MOSFET 的導通阻抗極低，傷耗細小，例如當續流電流為 10A， MOSFET 導通電阻 10mΩ，二極管 D2 壓降 0.7v 時，若續流電流流經 D2 時萌生傷耗為 7W， 而流經MOSFET 時萌生傷耗僅為 1W，因為這個運用這種扼制形式可以減損傷耗，增長逆變器的效率，在續流電流大的事情狀況下效果更加表面化。這種扼制形式亦稱為同步整流。
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制導致加強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4品類型，但實際應用的只有加強型的N溝道MOS管和加強型的P溝道MOS管，所以一般提到NMOS，還是PMOS指的就是這兩種。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
