KIA35P10A 產品描述
KIA35P10A采用先進的溝槽MOSFET技術，提供優良的RDS（ON）和柵極。用于各種各樣的應用中的電荷。KIA35P10A滿足RoHS和綠色產品要求，100% EAS保證全功能可靠性批準。
KIA35P10A產品特征
RDS(on) =42mΩ(typ) @ VGS=10V
100% EAS保證
可用綠色設備
超低柵電荷
優良的CDV/DT效應下降
先進的高密度溝槽技術
KIA35P10A參數范圍
產品型號：KIA35P10A
工作方式：-35A /-100V
漏源電壓：-100V
柵源電壓：±20V
漏電流連續：-35A
脈沖漏極電流：-100A
雪崩電流：28A
雪崩能量：345mJ
耗散功率：104W
熱電阻：62℃/V
漏源擊穿電壓：-100V
溫度系數：
柵極閾值電壓：-1.2V
輸入電容：4920PF
輸出電容：223PF
上升時間：32.2ns
封裝形式：TO-252
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
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