6n70場效應管參數,KIA6N70H大功率開關mos管-KIA MOS管
6n70場效應管參數,KIA6N70H
KIA6N70H功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產，經過特殊定制，最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，能夠承受高能脈沖的雪崩和換向模式。特別適用于高效開關模式電源以及基于半橋拓撲的有源功率因數校正。
KIA6N70H場效應管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V，具有低柵電荷（典型16NC）、高耐用性、快速切換和雪崩測試100%、具備提高dv/dt能力的特點，多種封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220F，方便應用。這些優秀的特性使得KIA6N70H成為一款高性能的器件，能夠在各種應用場景中發揮重要作用，為電力系統的可靠性和效率提供有力的支持。
6n70場效應管參數,KIA6N70H參數
漏源電壓：700V
漏極電流：5.8A
漏源通態電阻(RDS(on))：1.8Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：20A
雪崩能量單脈沖：150MJ
最大功耗：95/48W
輸入電容：650PF
輸出電容：95PF
總柵極電荷：16nC
開通延遲時間：30nS
關斷延遲時間：80nS
上升時間：40ns
下降時間：40ns
6n70場效應管參數,KIA6N70H規格書
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