晶體三極管選用技巧-教你如何選擇場效應管與三極管
晶體三極管選用技巧
必須了解晶體管的類型和材料，常用的有NPN和PNP兩種，這兩種管工作時對電壓的極性要求不同，所以是這兩種晶體管是不能互相替換的。三極管額材料有鍺材料和硅材料，它們之前最大的差異就是其實電壓不一樣。
在放大電路中，假如使用同類型的鍺管代替同類型的硅管，反之替換，一般都是可以的，但都要在基極偏置電壓上進行必要的調整。因為他們的起始電壓不一樣，但是在脈沖電路和開關電路中不同材料的三極管是否能互換必須進行具體的分析，切不可盲目代換。
選取場效應管只要三步：
1、選擇合適的溝道（N溝道還是P溝道）
2、確定場效應管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導通損耗。
3、確定熱要求，設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況。一般建議采用針對最壞的結果計算，因為這個結果提供更大的安全余量，能夠確保系統不會失效。
教你如何選擇場效應管與三極管
隨著電子設備升級換代的速度，大家對于電子設備性能的標準也愈來愈高，在某些電子設備的電路設計與研發中，不僅是開關電源電路中，也有在攜帶式電子設備的電路中都是會運用到性能更好的電子元器件 — 場效應晶體管。
因此正確挑選場效應晶體管是硬件工程師常常碰到的難點之一，也是極其重要的一個環節，場效應晶體管的挑選，有可能直接影響到一整塊集成運放的速率和制造費，挑選場效應晶體管，可以從下列六大技巧下手。
（一）溝道類型
挑選好場效應晶體管電子元件的第一步是取決選用N溝道或是P溝道場效應晶體管。在典型的功率使用中，當一個場效應晶體管接地，而負載接入到干線電壓上時，該場效應晶體管就組成了低壓側開關。在低壓側開關中，應選用N溝道場效應晶體管，它是出自于對關閉或導通電子元件所要電壓的考慮。當場效應晶體管接入到總線及負載接地時，就需要用高壓側開關。一般會在這一拓撲中選用P溝道場效應晶體管，這又是出于對電壓驅動的考慮。
（二）額定電壓
明確需用的額定電壓，或是電子元件能夠承載的最高電壓。額定電壓越大，電子元件的成本就越高。按照實踐證明，額定電壓應該高于干線電壓或總線電壓。這樣才可以提供足夠的保護，使場效應晶體管不會失靈。
就挑選場效應晶體管來講，務必明確漏極至源極間將會承載的最高電壓，即最大VDS。了解場效應晶體管能承載的最高電壓會隨溫度而變動這點非常關鍵。我們須在整個操作溫度范圍內檢測電壓的變動范圍。額定電壓一定要有足夠的余量覆蓋這一變動范圍，保障電路不會無效。
需要考慮的其它安全因素包含由開關電子產品（如電機或變壓器）引起的電壓瞬變。不同使用的額定電壓也各有不同，一般來說，便攜式設備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。
（三）額定電流
該額定電流應是負載在全部狀態下可以承載的最高電流。與電壓的情形類似，保證選定的場效應晶體管能經受這一額定電流，即便在系統造成尖峰電流時。兩個考慮的電流情形是持續模式和脈沖尖峰。在持續導通模式下，場效應晶體管處在穩態，這時電流持續通過電子元件。脈沖尖峰指的是有大量電涌（或尖峰電流）流經電子元件。一旦明確了這些條件下的最高電流，只需直接挑選能承載這個最高電流的電子元件便可。
（四）導通損耗
在實際情況下，場效應晶體管并不一定是理想的電子元件，歸因于在導電過程中會有電能消耗，這叫做導通損耗。場效應晶體管在“導通”時好比一個可變電阻，由電子元件的RDS（ON）所確認，并隨溫度而明顯變動。
電子元件的功率損耗可由Iload2×RDS（ON）估算，因為導通電阻隨溫度變動，因而功率損耗也會隨著按占比變動。對場效應晶體管施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越小；反之RDS（ON）就會越高。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微升高。關于RDS（ON）電阻的各類電氣叁數變動可在生產商出示的技術資料表里得知。
（五）系統散熱
須考慮二種不一樣的情況，即最壞情況和具體情況。提議選用針對最壞情況的計算結果，由于這一結論提供更大的安全余量，能確保系統不易失靈。在場效應晶體管的材料表上還有一些必須留意的測量數據，電子元件的結溫相當于最大環境溫度再加熱阻與功率耗散的乘積（結溫=最大環境溫度+［熱阻×功率耗散］）。
依據這個式子可解出系統的最大功率損耗，即按定義相當于I2×RDS（ON）。我們已即將通過電子元件的最大電流，能夠估算出不同溫度下的RDS（ON）。此外，也要搞好電路板以及場效應晶體管的散熱。
雪崩擊穿指的是半導體器件上的反向電壓超出最高值，并產生強電場使電子元件內電流增加。晶片尺寸的增加會增強抗雪崩能力，最后提高電子元件的穩健性。因而挑選更大的封裝件能夠有效避免雪崩。
（六）開關性能
影響開關性能的叁數有好多，但最關鍵的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在電子元件中產生開關損耗，因為在每一次開關時都要對它們充電。場效應晶體管的開關速度因而被減少，電子元件效率也降低。為計算開關過程中電子元件的總耗損，要計算開通過程中的耗損（Eon）和關閉過程中的耗損（Eoff）。
場效應晶體管開關的總功率可用如下方程表達：Psw=（Eon+Eoff）×開關頻率。而柵極電荷（Qgd）對開關性能的影響最大。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
