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              mosfet管腳判別方法及區分MOS管的極詳解-MOS管發熱原因分析-KIA MOS管

              信息來源:本站 日期:2019-11-21 

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              mosfet管腳判別方法及區分MOS管的極詳解-MOS管發熱原因分析

              mosfet管腳判別-區分MOS管的極

              區分MOS管極的方法與步驟如下: 


              1、MOS管符號上的三個腳的辨認要抓住關鍵地方 。


              G極,不用說比較好認。S極,不論是P溝道還是N溝道,兩根線相交的就是;D極,不論是P溝道還是N溝道,是單獨引線的那邊。


              mosfet管腳判別


              mosfet管腳判別


              2、他們是N溝道還是P溝道?


              三個腳的極性判斷完后,接下就該判斷是P溝道還是N溝道了:當然也可以先判斷溝道類型,再判斷三個腳極性。先判斷是什么溝道,再判斷三個腳極性。


              mosfet管腳判別


              mosfet管腳判別


              3、寄生二極管的方向如何判定?


              接下來,是寄生二極管的方向判斷:它的判斷規則就是:N溝道,由S極指向D極;P溝道,由D極指向S極。


              mosfet管腳判別


              mosfet管腳判別


              4、簡單的判斷方法,上面方法不太好記,一個簡單的識別方法是:想像DS邊的三節斷續線是連通的)不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的:要么都由S指向D,要么都由D指向S。


              mosfet管腳判別方法

              柵極G的測定:用萬用表R&TImes;100檔,測任意兩腳之間正反向電阻,若其中某次測得電阻為數百Ω),該兩腳是D、S,第三腳為G。


              漏極D、源極S及類型判定:用萬用表R&TImes;10kΩ檔測D、S問正反向電阻,正向電阻約0.2&TImes;10kΩ,反向電阻(5一∞)X100kΩ。在測反向電阻時,紅表筆不動,黑表筆脫離引腳后,與G碰一下,然后回去再接原引腳,出現兩種情況:


              a.若讀數由原來較大值變為0(0×10kΩ),則紅表筆所接為S,黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效,使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω,還可證明該管為N溝道。


              b.若讀數仍為較大值,黑表筆不動,改用紅表筆接觸G,碰一下之后立即回到原腳,此時若讀數為0Ω,則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極,用紅表筆接觸G極有效,該MOS管為P溝道。


              G極,不用說比較好認。


              S極,不論是p溝道還是N溝道,兩根線相交的就是;


              D極,不論是p溝道還是N溝道,是單獨引線的那邊。


              MOS管如何快速判斷與好壞及引腳性能

              mosfet管腳判別好壞及性能詳解:

              1、用10K檔,內有15伏電池。可提供導通電壓。


              2、因為柵極等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管。


              3、利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便。但要放電時需短路管腳或反充。


              4、大都源漏間有反并二極管,應注意,及幫助判斷。


              5、大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源。以上前三點必需掌握,后兩點靈活運用,很快就能判管腳,分好壞。


              如果對新拿到的不明MOS管,可以通過測定來判斷腳極,只有準確判定腳的排列,才能正確使用。


              MOS管的發熱情況分析

              1.電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關電路狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。


              2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發熱也加大了。


              3.沒有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。


              4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。


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