MOS管小電流發熱原因及如何解決發熱問題分析-MOS管損毀原因總結
什么是MOS管
MOS管小電流是什么？MOS管小電流發熱等問題解析。MOS管全稱金屬—氧化物—半導體場效應晶體管或稱金屬—絕緣體—半導體場效應晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場效應管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應管。
MOS管構造
MOS管這個器件有兩個電極，分別是漏極D和源極S，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+/P+區，并用金屬鋁引出漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的N/P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構成了一個N/P溝道（NPN型）增強型MOS管。
MOS管小電流發熱問題分析
mos管，做電源設計，或者做驅動方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅動的使用，當然就是用它的開關作用。
無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度應該比三極管快。其主要原理如圖：
在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理。當然MOS管做開關使用的電路形式比較多了。
NMOS管的開路漏極電路
在開關電源應用方面，這種應用需要MOS管定期導通和關斷。比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依賴兩個MOS管來執行開關功能，這些開關交替在電感里存儲能量，然后把能量釋放給負載。我們常選擇數百kHz乃至1MHz以上的頻率，因為頻率越高，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管只相當于一個導體。因此，我們電路或者電源設計人員最關心的是MOS的最小傳導損耗。
我們經常看MOS管的PDF參數，MOS管制造商采用RDS（ON）參數來定義導通阻抗，對開關應用來說，RDS（ON）也是最重要的器件特性。數據手冊定義RDS（ON）與柵極（或驅動）電壓VGS以及流經開關的電流有關，但對于充分的柵極驅動，RDS（ON）是一個相對靜態參數。一直處于導通的MOS管很容易發熱。另外，慢慢升高的結溫也會導致RDS（ON）的增加。MOS管數據手冊規定了熱阻抗參數，其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的最簡單的定義是結到管殼的熱阻抗。
MOS管小電流發熱的原因
MOS管小電流發熱原因總結如下：
1、電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
2、頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加大了。
3、沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。
4、MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。
MOS管小電流發熱如何解決
1、做好MOS管的散熱設計，添加足夠多的輔助散熱片。
2、貼散熱膠。
MOS管損毀原因總結
1、在電源電壓方面
1）、過流-------持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀；
2）、過壓-------源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿；
3）、靜電-------靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電；
2、在MOS管電源電壓方面
1）、漏源電壓過大，MOS管燒壞。現象：MOS管D、S兩端短路；
2）、漏源電流過大，MOS管燒壞。現象：MOS管D、S兩端短路；
3）、柵源電壓過大，MOS管燒壞。現象：MOS管G、D、S短路；
3、其他方面
1）、堵轉會使電機感應電動勢升高，使電機電流大增過流保護太遲鈍；
2）、同時導通；
3）、功率過大；
4）、散熱不足；
5）、頻率太高；
6）、MOS管內阻未充分考慮，導致開關阻抗增大；
4、會對MOS管造成的影響
1）、MOS管吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響MOS管的功能和壽命。
2）、因電場或電流破壞元件絕緣層和導體，使MOS管不能工作（完全破壞）。
3）、因瞬間的電場軟擊穿或電流產生過熱，使MOS管受傷，雖仍能工作，但是壽命受損。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
