電源,MOS管,開關電源
MOS管開關電源
MOS管最常見的應用可能是電源中的開關元件，此外，它們對電源輸出也大有裨益。服務器和通信設備等應用一般都配置有多個并行電源，以支持N+1 冗余與持續工作 (圖1)。各并行電源平均分擔負載，確保系統即使在一個電源出現故障的情況下仍然能夠繼續工作。
不過，這種架構還需要一種方法把并行電源的輸出連接在一起，并保證某個電源的故障不會影響到其它的電源。在每個電源的輸出端，有一個功率MOS管可以讓眾電源分擔負載，同時各電源又彼此隔離 。起這種作用的MOS管被稱為"ORing"FET，因為它們本質上是以 "OR" 邏輯來連接多個電源的輸出。
如何用MOS管控制使之達到電源緩啟動的目的
在電信工業和微波電路設計領域，普遍使用MOS管控制沖擊電流的方達到電流緩啟動的目的。MOS管有導通阻抗Rds_on低和驅動簡單的特點，在周圍加上少量元器件就可以構成緩慢啟動電路。雖然電路比較簡單，但只有吃透MOS管的相關開關特性后才能對這個電路有深入的理解。
MOSFET的開通過程
盡管MOSFET在開關電源、電機控制等一些電子系統中得到廣泛的應用，但是許多電子工程師并沒有十分清楚的理解MOSFET開關過程，以及MOSFET在開關過程中所處的狀態一般來說，電子工程師通常基于柵極電荷理解MOSFET的開通的過程，如圖1所示此圖在MOSFET數據表中可以查到。
圖1 AOT460柵極電荷特性
MOSFET的D和S極加電壓為VDD，當驅動開通脈沖加到MOSFET的G和S極時，輸入電容Ciss充電，G和S極電壓Vgs線性上升并到達門檻電壓VGS(th)，Vgs上升到VGS(th)之前漏極電流Id≈0A，沒有漏極電流流過，Vds的電壓保持VDD不變。
當Vgs到達VGS(th)時，漏極開始流過電流Id，然后Vgs繼續上升，Id也逐漸上升，Vds仍然保持VDD當Vgs到達米勒平臺電壓VGS(pl)時，Id也上升到負載電流最大值ID，Vds的電壓開始從VDD下降。米勒平臺期間，Id電流維持ID，Vds電壓不斷降低。
米勒平臺結束時刻，Id電流仍然維持ID，Vds電壓降低到一個較低的值米勒平臺結束后，Id電流仍然維持ID，Vds電壓繼續降低，但此時降低的斜率很小，因此降低的幅度也很小，最后穩定在Vds=Id×Rds(on)因此通常可以認為米勒平臺結束后MOSFET基本上已經導通。
對于上述的過程，理解難點在于為什么在米勒平臺區，Vgs的電壓恒定？驅動電路仍然對柵極提供驅動電流，仍然對柵極電容充電，為什么柵極的電壓不上升？而且柵極電荷特性對于形象的理解MOSFET的開通過程并不直觀因此，下面將基于漏極導通特性理解MOSFET開通過程。
MOSFET的漏極導通特性與開關過程
MOSFET的漏極導通特性如圖2所示MOSFET與三極管一樣，當MOSFET應用于放大電路時，通常要使用此曲線研究其放大特性只是三極管使用的基極電流、集電極電流和放大倍數，而MOSFET使用柵極電壓、漏極電流和跨導。
圖2 AOT460的漏極導通特性
三極管有三個工作區：截止區、放大區和飽和區，MOSFET對應是關斷區、恒流區和可變電阻區注意：MOSFET恒流區有時也稱飽和區或放大區當驅動開通脈沖加到MOSFET的G和S極時，Vgs的電壓逐漸升高時，MOSFET的開通軌跡A-B-C-D如圖3中的路線所示
圖3 AOT460的開通軌跡
開通前，MOSFET起始工作點位于圖3的右下角A點，AOT460的VDD電壓為48V，Vgs的電壓逐漸升高，Id電流為0，Vgs的電壓達到VGS(th)，Id電流從0開始逐漸增大A-B就是Vgs的電壓從VGS(th)增加到VGS(pl)的過程從A到B點的過程中，可以非常直觀的發現，此過程工作于MOSFET的恒流區，也就是Vgs電壓和Id電流自動找平衡的過程，即Vgs電壓的變化伴隨著Id電流相應的變化，其變化關系就是MOSFET的跨導：Gfs=Id/Vgs，跨導可以在MOSFET數據表中查到。
當Id電流達到負載的最大允許電流ID時，此時對應的柵級電壓Vgs(pl)=Id/gFS由于此時Id電流恒定，因此柵極Vgs電壓也恒定不變，見圖3中的B-C，此時MOSFET處于相對穩定的恒流區，工作于放大器的狀態開通前，Vgd的電壓為Vgs-Vds，為負壓，進入米勒平臺，Vgd的負電壓絕對值不斷下降，過0后轉為正電壓驅動電路的電流絕大部分流過CGD，以掃除米勒電容的電荷，因此柵極的電壓基本維持不變Vds電壓降低到很低的值后，米勒電容的電荷基本上被掃除，即圖3中的C點。
于是，柵極的電壓在驅動電流的充電下又開始升高，如圖3中的C-D，使MOSFET進一步完全導通C-D為可變電阻區，相應的Vgs電壓對應著一定的Vds電壓Vgs電壓達到最大值，Vds電壓達到最小值，由于Id電流為ID恒定，因此Vds的電壓即為ID和MOSFET的導通電阻的乘積基于MOSFET的漏極導通特性曲線可以直觀的理解MOSFET開通時，跨越關斷區、恒流區和可變電阻區的過程米勒平臺即為恒流區，MOSFET工作于放大狀態，Id電流為Vgs電壓和跨導乘積電路原理詳細說明：MOS管是電壓控制器件，其極間電容等效電路如圖4所示。
圖4. 帶外接電容C2的N型MOS管極間電容等效電路
MOS管的極間電容柵漏電容Cgd、柵源電容Cgs、漏源電容Cds可以由以下公式確定：
R2由允許沖擊電流決定：
其中Vmax為最大輸入電壓，Cload為C3和DC/DC電源模塊內部電容的總和，Iinrush為允許沖擊電流的幅度。
圖5 有源沖擊電流限制法電路
D1是一個穩壓二極管，用來限制MOS管 Q1的柵源電壓。元器件R1，C1和D2用來保證MOS管Q1在剛上電時保持關斷狀態。具體情況是：上電后，MOS管的柵極電壓要慢慢上升，當柵源電壓Vgs高到一定程度后，二極管D2導通，這樣所有的電荷都給電容C1以時間常數R1×C1充電，柵源電壓Vgs以相同的速度上升，直到MOS管Q1導通產生沖擊電流。以下是計算C1和R1的公式：
其中Vth為MOS管Q1的最小門檻電壓，VD2為二極管D2的正向導通壓降，Vplt為產生Iinrush沖擊電流時的柵源電壓。Vplt可以在MOS管供應商所提供的產品資料里找到。MOS管選擇以下參數對于有源沖擊電流限制電路的MOS管選擇非常重要：l 漏極擊穿電壓 Vds 必須選擇Vds比最大輸入電壓Vmax和最大輸入瞬態電壓還要高的MOS管，對于通訊系統中用的MOS管，一般選擇Vds≥100V。
柵源電壓Vgs穩壓管D1是用來保護MOS管Q1的柵極以防止其過壓擊穿，顯然MOS管Q1的柵源電壓Vgs必須高于穩壓管D1的最大反向擊穿電壓。一般MOS管的柵源電壓Vgs為20V，推薦12V的穩壓二極管。l 導通電阻Rds_on.MOS管必須能夠耗散導通電阻Rds_on所引起的熱量，熱耗計算公式為：
其中Idc為DC/DC電源的最大輸入電流，Idc由以下公式確定：
其中Pout為DC/DC電源的最大輸出功率，Vmin為最小輸入電壓，η為DC/DC電源在輸入電壓為Vmin輸出功率為Pout時的效率。η可以在DC/DC電源供應商所提供的數據手冊里查到。MOS管的Rds_on必須很小，它所引起的壓降和輸入電壓相比才可以忽略。
圖6有源沖擊電流限制電路在75V輸入，DC/DC輸出空載時的波形。
針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOS管
在ORing FET應用中，MOS管的作用是開關器件，但是由于服務器類應用中電源不間斷工作，這個開關實際上始終處于導通狀態。其開關功能只發揮在啟動和關斷，以及電源出現故障之時 。
相比從事以開關為核心應用的設計人員，ORing FET應用設計人員顯然必需關注MOS管的不同特性。以服務器為例，在正常工作期間，MOS管只相當于一個導體。因此，ORing FET應用設計人員最關心的是最小傳導損耗。
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