CMOS,MOS管,CMOS邏輯電平

CMOS概述

CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor（互補金屬氧化物半導體）的縮寫。它是指制造大規模集成電路芯片用的一種技術或用這種技術制造出來的芯片，是電腦主板上的一塊可讀寫的RAM芯片。因為可讀寫的特性，所以在電腦主板上用來保存BIOS設置完電腦硬件參數后的數據，這個芯片僅僅是用來存放數據的。

電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數字集成電路的基本單元。

而對BIOS中各項參數的設定要通過專門的程序。BIOS設置程序一般都被廠商整合在芯片中，在開機時通過特定的按鍵就可進入BIOS設置程序，方便地對系統進行設置。因此BIOS設置有時也被叫做CMOS設置。

MOS管概述

MOS管又分為兩種類型：N型和P型。如下圖所示：

CMOS,MOS管,CMOS邏輯電平

以N型管為例，2端為控制端，稱為“柵極”;3端通常接地，稱為“源極”;源極電壓記作Vss，1端接正電壓，稱為“漏極”，漏極電壓記作VDD。要使1端與3端導通，柵極2上要加高電平。

對P型管，柵極、源極、漏極分別為5端、4端、6端。要使4端與6端導通，柵極5要加低電平。

在CMOS工藝制成的邏輯器件或單片機中，N型管與P型管往往是成對出現的。同時出現的這兩個CMOS管，任何時候，只要一只導通，另一只則不導通(即“截止”或“關斷”)，所以稱為“互補型CMOS管”。

CMOS邏輯電平

高速CMOS電路的電源電壓VDD通常為+5V;Vss接地，是0V。

高電平視為邏輯“1”，電平值的范圍為：VDD的65%～VDD(或者VDD-1.5V～VDD)

低電平視作邏輯“0”，要求不超過VDD的35%或0～1.5V。

+1.5V～+3.5V應看作不確定電平。在硬件設計中要避免出現不確定電平。

近年來，隨著亞微米技術的發展，單片機的電源呈下降趨勢。低電源電壓有助于降低功耗。VDD為3.3V的CMOS器件已大量使用。在便攜式應用中，VDD為2.7V，甚至1.8V的單片機也已經出現。將來電源電壓還會繼續下降，降到0.9V，但低于VDD的35%的電平視為邏輯“0”，高于VDD的65%的電平視為邏輯“1”的規律仍然是適用的。

非門

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非門(反向器)是最簡單的門電路，由一對CMOS管組成。其工作原理如下：

A端為高電平時，P型管截止，N型管導通，輸出端C的電平與Vss保持一致，輸出低電平;A端為低電平時，P型管導通，N型管截止，輸出端C的電平與VDD一致，輸出高電平。

與非門

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與非門工作原理：

①、A、B輸入均為低電平時，1、2管導通，3、4管截止，C端電壓與VDD一致，輸出高電平。

②、A輸入高電平，B輸入低電平時，1、3管導通，2、4管截止，C端電位與1管的漏極保持一致，輸出高電平。

③、A輸入低電平，B輸入高電平時，情況與②類似，亦輸出高電平。

④、A、B輸入均為高電平時，1、2管截止，3、4管導通，C端電壓與地一致，輸出低電平。

或非門

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或非門工作原理：

①、A、B輸入均為低電平時，1、2管導通，3、4管截止，C端電壓與VDD一致，輸出高電平。

②、A輸入高電平，B輸入低電平時，1、4管導通，2、3管截止，C端輸出低電平。

③、A輸入低電平，B輸入高電平時，情況與②類似，亦輸出低電平。

④、A、B輸入均為高電平時，1、2管截止，3、4管導通，C端電壓與地一致，輸出低電平。

注：

將上述“與非”門、“或非”門邏輯符號的輸出端的小圓圈去掉，就成了“與”門、“或”門的邏輯符號。而實現“與”、“或”功能的電路圖則必須在輸出端加上一個反向器，即加上一對CMOS管，因此，“與”門實際上比“與非”門復雜，延遲時間也長些，這一點在電路設計中要注意。

三態門

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三態門的工作原理：

當控制端C為“1”時，N型管3導通，同時，C端電平通過反向器后成為低電平，使P型管4導通，輸入端A的電平狀況可以通過3、4管到達輸出端B。

當控制端C為“0”時，3、4管都截止，輸入端A的電平狀況無法到達輸出端B，輸出端B呈現高電阻的狀態，稱為“高阻態”。

這個器件也稱作“帶控制端的傳輸門”。帶有一定驅動能力的三態門也稱作“緩沖器”，邏輯符號是一樣的。

注：

從CMOS等效電路或者真值表、邏輯表達式上都可以看出，把“0”和“1”換個位置，“與非”門就變成了“或非”門。對于“1”有效的信號是“與非”關系，對于“0”有效的信號是“或非”關系。

上述圖中畫的邏輯器件符號均是正邏輯下的輸入、輸出關系，即對“1”(高電平)有效而言。而單片機中的多數控制信號是按照負有效(低電平有效)定義的。例如片選信號CS(Chip Select)，指該信號為“0”時具有字符標明的意義，即該信號為“0”表示該芯片被選中。因此，“或非”門的邏輯符號也可以畫成下圖。

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