MOS管,KIA6035A,11A/350V
KIA半導體MOS管 KIA6035A產品概述
這種功率MOSFET是KIA半導體使用先進的平面條紋DMOS技術生產。這種先進的技術是KIA半導體特別定制的，可以減少沖擊，并有著開關性能好的優勢，能承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖。MOS管 KIA6035A非常適合于高效率開關電源、有源功率因數校正。
MOS管 KIA6035A產品特征
RDS(ON)=0.38Ω@VGS=10V.
低柵電荷
高耐用性
快速切換能力
提高了dv/dt能力
MOS管 KIA6035A 11A/350V主要參數
型號：KIA6035A
工作方式：11A/350V
漏源電壓：350V
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:36A
峰值二極管恢復dv/dt:4.5V/ns
輸入電容:844pF
輸出電容：162pF
反向轉移電容：4pF
漏源二極管正向電壓：1.4V
連續漏源電流:11A
MOS管 KIA6035A封裝圖
MOS管 KIA6035A 11A/350V規格書
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MOS管 KIA6035A電路特征
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