MOS管3103A 110A/30V DFN5*6
MOS管3103A產品特征
RDS（on）=1.9米（典型值）@VGS=10V
低導通電阻
快速切換
100%雪崩試驗
符合RoHS標準
MOS管3103A產品概述
KIA3103A采用溝槽加工技術設計，具有極低的導通電阻。這種設計的其他特點是一個150°接點工作溫度，快速開關速度和改進了重復雪崩等級。這些特性結合在一起，使這個設計成為一個非常有效的和可靠的設備，用于電機應用和廣泛的其他應用。
MOS管3103A產品主要參數
型號：KNY3103A
工作方式：110A/30V
漏源極電壓：30V
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流測試：440A
雪崩能量單脈沖：361MJ
最大功耗：62.5W
最高結溫：150℃
MOS管3103A產品封裝
KNY3103AMOS管產品的封裝是以新型的封裝DFN5*6為主，KIA半導體與知名的天水華天微封裝廠家合作，見下圖
MOS管3103A 110A/30V DFN5*6電路特征
MOS管3103A 110A/30V產品的規格書
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