KNX3306B替代HY1607
KNX3306B可替代后羿的HY1607，KIA半導體場效應管有著雪崩沖擊低、低內阻等技術優勢。
KIA半導體也一直執行全面質量管理體系，是將所有產品質量從芯片設計開始，一直貫徹到客戶使用的全過程質量跟蹤和監控。我們確定在這一質量控制體系下生產的產品，在相關環節的質量狀態和信息都是有效控制，確保提供給客戶的產品是安全可靠的。下文將描述KNX3306B產品附件及主要參數詳情。
MOS管KNX3306B產品特征
1、RDS(on)=7毫歐(typ)@VGS=10V
2、無鉛綠色設備
3、低電阻開關，減少導電損耗
4、高雪崩電流
MOS管KNX3306B產品主要參數
產品型號：KNX3306A
工作方式：80A/60V
漏源極電壓:60V
柵源電壓；±25V
雪崩能量：462.25MJ
接頭和儲存溫度范圍 ：-55℃至+175℃
MOS管KNX3306B封裝
KNX3306B附件
查看詳情，請點擊下圖。
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