MOS管KIA3510A主要參數
型號：KIA3510A
電流：75A
電壓：100V
漏源極電壓:100V
柵源電壓：±25V
最高結溫：175℃
貯存溫度范圍：-55℃至+175℃
脈沖漏電流：219A
雪崩電流:30A
雪崩能源:225MJ
MOS管KIA3510A替代IRF540N
電流：27A
電壓：100V
封裝：TO-220
MOS管KIA3510A封裝及引腳圖
MOS管KIA3510A產品的主要特征
KIA半導體專注品質追求10幾年，一直力爭在質量上做到精益求精。
RDS(on)=9m? (Typ)@VGS =10V
100%雪崩試驗
可靠和堅固
無鉛綠色設備（符合RoHS標準）
MOS管KIA3510A產品附件
以下為KIA3510A產品PDF格式的詳細資料，查看詳情請點擊下圖。如有需要請聯系我們，KIA半導體將會竭誠為您服務！
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