MOS管20N50產品特征-KIA20N50H
1、KIA20N50H N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高功率MOSFET設計的電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源等。有源功率因數校正。
2、RDS(on) =0.21?@VGS=10V
3、低門電荷（典型的70納米）
4、快速切換能力
5、雪崩能量指定
6、改進的dv/dt能力
MOS管20N50產品主要參數-KIA20N50H
產品型號：KIA20N50H
工作方式：20A/500V
漏源極電壓：500V
柵源電壓:±30V
功能溫度:+150℃
貯存溫度：-55℃至+150℃
KIA20N50H標準封裝
KIA20N50H電路圖
KIA20N50H產品附件
以下為KIA20N50H產品PDF格式的產品詳細資料，查看詳情請點擊下圖。
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